東京工業大学 元素戦略研究センター

東京工業大学応用セラミックス研究所 (４月１日よりフロンティア材料研究所)の平松秀典准教授、元素戦略研究センターの細野秀雄教授と半沢幸太大学院生らは、鉄系超伝導体（用語1）の一つである鉄セレン化物「FeSe」のごく薄い膜を作製し、８ケルビン（Ｋ＝絶対温度、０Ｋはマイナス２７３度Ｃ）で超伝導を示すバルク（塊）より４倍高い３５Ｋで超伝導転移させることに成功した。
　　

トランジスタ構造を利用したキャリア生成方法は、一般的な元素置換によるキャリア生成とは異なり、自由にかつ広範囲にキャリア濃度を制御できる特徴がある。このため、元素置換によるキャリア添加が不可能な物質でも適用が可能なことから、今後の鉄系層状物質でより高い超伝導臨界温度の実現を狙う有力な方法になると期待される。

成果は３月２９日（米国時間２８日）に「米国科学アカデミー紀要（Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America）」のオンライン速報版に掲載される。